三菱電機がxEV向け第5世代SiC製MOSFETを2026年6月下旬にサンプル出荷へ

三菱電機がxEV向け第5世代SiC製MOSFETを2026年6月下旬にサンプル出荷へ

日経クロステックは2026年6月10日、三菱電機が独自開発した新たなトレンチ構造の第5世代SiC製MOSFETチップについて、2026年6月下旬にサンプル出荷を開始すると報じた。既存の第4世代SiC製MOSFETと比べ、オン抵抗を約25％低減させた内容である。^[1]

対象は電気自動車やプラグインハイブリッド車などの電動車に使う駆動モーター用インバーターや電動アクスルである。三菱電機は第5世代SiC製MOSFETの提供により、xEV用インバーターやeAxleの性能向上や小型化を実現するとしている。

参考文章では、三菱電機が1997年にxEV用パワー半導体モジュールの量産を開始し、2010年にSiCパワー半導体モジュールを製品化した経緯にも触れている。第5世代品では同社独自の製造プロセス技術により、性能劣化と電力損失やオン抵抗などの変動の抑制を図ったとしている。

第5世代SiC製MOSFETの対象用途と主な技術要素

Fuel Connect編集部の整理

今回の記事は、xEV向けの駆動系部品に関わるパワー半導体の製品開発とサンプル出荷予定を整理した内容である。車両の電動化に関わる部品調達、車両開発、電動アクスル関連の設計担当者が把握しておくと有用な情報である。

参考文章に示された範囲では、第5世代SiC製MOSFETはインバーターやeAxleの性能向上や小型化、xEVの航続距離の延伸や電費改善に関係する技術として位置づけられている。車両管理や燃料調達に関わる実務担当者にとっては、電動車の構成部品と効率改善に関する技術動向を確認する材料となる。